116

Глава 1. Развитие представлений о мироздании

В сверхпроводниках I рода для создания границы между сверхпроводящей н нормальной фазами необходима затрата некоторой энергии. Это объясняет причину расслоения сверхпроводника в промежуточном состоянии на конечное число зон.

В сверхпроводниках П рода создание раздела между фазами связано с освобождением некоторой энергии. Вещество прн этом распадается на некоторую смесь из мелких сверхпроводящих и нормальных областей, границы которых параллельны направлению приложенного поля.

Заметим, что еще в 1908 году X. Камерлинг-Оннес провел эксперимент, который стал последней страницей в истории поиска жидкого гелия. Жидкий гелий был получен при температуре 4,2 К. Дальнейшие исследования жидкого гелия 2Не* прн низком давлении н температуре 2,17 К привели к открытию явления сверхтекучести. Сверхтекучесть — это состояние жидкости, прн котором она протекает через узкие щели и капилляры без трения. Сверхтекучий гелий 2Не* называют Не П, а несверхтекучий жидкий гелий 2Не4 — Не I. Переход жидкого гелия в сверхтекучее состояние представляет собой фазовый переход II рода.

Фрактальная физика привела к изменению представлений об электрической природе, где носителем электромагнитного взаимодействия является электронейтральный фотон, составляющие которого при этом противоположно заряжены. Незнание природы привело к тому, что до сегодняшнего дня, несмотря на проведенный в 1916 г. опыт по определению носителей заряда в металлах, нынешняя физика не могла описать природу электрической проводимости в проводниках, полупроводниках и сверхпроводниках. Однако во фрактальной физике показано, что воз -никающие фотоны в пространственной структуре соединений являются не только иницнаторамн возбуждения электронов атома, но также и энергетическими носителями. Фотон «набегает» на электрон, н возникающее в ре-

1.4. Естествознание и физика XX века

117

зультате более сложное движение можно описать, просто складывая заряды обеих взаимодействующих частиц. Этот процесс создания электрической проводимости можно представить как процесс образования уединенных воли — солитонов, несущих отрицательный (в р-полупроводнике положительный) электрический заряд.