346

Глава 5. Физика человека и созания

иой замены атомной, гидро- и углеводородной энергетик.

13. Произвести в глобальном масштабе утилизацию химического, бактериологического, ядерного оружий, атомных станций, атомных установок и кораблей, подводных лодок, ракет, нефте- и газопроводов, танкеров с целью уменьшения ущерба Земле и обеспечения наибольшей выживаемости уцелевших людей

ГЛАВА 6

Технические приложения фрактальной физики

Результаты проведенных автором исследований представляют самостоятельный интерес, они обосновывают новую науку о мироздании н привели к техническим приложениям, уже весьма значительным и к тому же быстро развивающимся. Развитие фрактальной физики определило появление очень высокотемпературных сверхпроводников, пршгшшиально новых генераторов энергии для извлечения энергии из окружающей структуры пространства, нового способа передвижения со световой скоростью и нового радио для мгновенной передачи информации, что определяет выход нз тупикового пути развития Земной цивилизации.

348 Глава 6. Технические приложения фрактальной физики

6.1. Температура и энтропия фазовых переходов. Создание очень высокотемпературных сверхпроводников

Фрактальная физика применена к электрической проводимости, что позволяет установить природу этого явления. Из п. 4.1 и (5] мы узнали, что фотоны являются, во-первых, инициаторами возбуждения электронов атома, во-вторых, они являются энергетическими носителями. Установлено, что электроны в проводнике не перемещаются, а остаются связанными со своими атомами. Возникновение фотона (кванта) обусловлено взаимодействием возбужденных электронов с вихревой структурой пространства атома (см. п. 4.2). Фотон «набегает» на электрон, возникающее в результате сложное движе -ние можно описать, просто складывая заряды обеих взаимодействующих частиц. Этот процесс создания электрической проводимости можно представить как процесс образования солитонов, несущих в данном случае для проводника отрицательный электрический заряд. Такая модель проводимости применена как для рассмотрения создания проводимости полупроводникового диода, так и для описания явления сверхпроводимости.